NTMFS5832NLT1G

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Herstellerteil	NTMFS5832NLT1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 20A/111A 5DFN
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NTMFS5832NLT1G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	236
Einzelpreis	$ 1.02000

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NTMFS5832NLT1G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	20A (Ta), 111A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	51 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2700 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.1W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN, 5 Leads

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