FCU850N80Z

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Herstellerteil	FCU850N80Z
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FCU850N80Z PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.785
Einzelpreis	$ 1.66000

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FCU850N80Z Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	SuperFET® II
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	6A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 600µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1315 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	75W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	I-PAK
Paket / Koffer:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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