STP10LN80K5

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Herstellerteil	STP10LN80K5
Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	STP10LN80K5 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	842
Einzelpreis	$ 2.69000

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STP10LN80K5 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	MDmesh™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	8A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	630mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	427 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	110W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220
Paket / Koffer:	TO-220-3

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