APT34N80B2C3G

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Herstellerteil	APT34N80B2C3G
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	APT34N80B2C3G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	26
Einzelpreis	$ 8.39000

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APT34N80B2C3G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	34A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	145mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	355 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4510 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	417W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer:	TO-247-3 Variant

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