SIHP186N60EF-GE3

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Herstellerteil	SIHP186N60EF-GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	SIHP186N60EF-GE3 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.050
Einzelpreis	$ 3.69000

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SIHP186N60EF-GE3 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	EF
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	18A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	193mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	32 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1081 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	156W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB
Paket / Koffer:	TO-220-3

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