SPA11N80C3XKSA2

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Herstellerteil	SPA11N80C3XKSA2
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	SPA11N80C3XKSA2 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	430
Einzelpreis	$ 3.06000

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SPA11N80C3XKSA2 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	CoolMOS™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 680µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1600 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	34W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO220-3
Paket / Koffer:	TO-220-3 Isolated Tab

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