BSO612CVGHUMA1

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Herstellerteil	BSO612CVGHUMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	3A, 60V, 0.12OHM, 2-ELEMENT, N-
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	BSO612CVGHUMA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	130.824
Einzelpreis	$ 0.29328

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BSO612CVGHUMA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	SIPMOS®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N and P-Channel
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	60V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3A (Ta), 2A (Ta)
rds auf (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 20µA, 4V @ 450µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	15.5nC, 16nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	340pF, 400pF @ 25V
Leistung max:	2W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-DSO-8

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