HP8S36TB

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Herstellerteil	HP8S36TB
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	HP8S36TB PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	2.421
Einzelpreis	$ 1.52000

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HP8S36TB Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet-Funktion:	-
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	27A, 80A
rds auf (max) @ id, vgs:	2.4mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	47nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	6100pF @ 15V
Leistung max:	29W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	8-HSOP

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