FD6M033N06

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Herstellerteil	FD6M033N06
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	N-CHANNEL POWER MOSFET
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FD6M033N06 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.382
Einzelpreis	$ 3.81000

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FD6M033N06 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	Power-SPM™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	60V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	73A
rds auf (max) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	129nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	6010pF @ 25V
Leistung max:	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	EPM15
Gerätepaket des Lieferanten:	EPM15

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