NTLJD2105LTBG

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Herstellerteil	NTLJD2105LTBG
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	P-CHANNEL POWER MOSFET
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NTLJD2105LTBG PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	44.912
Einzelpreis	$ 0.20000

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NTLJD2105LTBG Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N and P-Channel
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	8V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.5A
rds auf (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
Leistung max:	520mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-WDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten:	6-WDFN (2x2)

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