FDMD86100

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Herstellerteil	FDMD86100
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FDMD86100 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.078
Einzelpreis	$ 1.62000

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FDMD86100 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	PowerTrench®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual) Common Source
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	100V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10A
rds auf (max) @ id, vgs:	10.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	30nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2060pF @ 50V
Leistung max:	2.2W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerWDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	8-Power 5x6

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