IRF7902TRPBF

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Herstellerteil	IRF7902TRPBF
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	HEXFET POWER MOSFET
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IRF7902TRPBF PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	2.789
Einzelpreis	$ 0.28000

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IRF7902TRPBF Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	HEXFET®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	-
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	6.4A (Ta), 9.7A (Ta)
rds auf (max) @ id, vgs:	22.6mOhm @ 6.4A, 10V, 14.4mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.25V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	6.9nC, 9.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	580pF, 900pF @ 15V
Leistung max:	1.4W (Ta), 2W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO

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