EPC2101

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Herstellerteil	EPC2101
Hersteller	EPC
Beschreibung	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	EPC2101 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	714
Einzelpreis	$ 7.03000

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EPC2101 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	eGaN®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet-Funktion:	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	9.5A, 38A
rds auf (max) @ id, vgs:	11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Leistung max:	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	Die
Gerätepaket des Lieferanten:	Die

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