EPC2110ENGRT

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Herstellerteil	EPC2110ENGRT
Hersteller	EPC
Beschreibung	GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	EPC2110ENGRT PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	261.187
Einzelpreis	$ 2.37000

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EPC2110ENGRT Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	eGaN®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual) Common Source
fet-Funktion:	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (vdss):	120V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.4A
rds auf (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 700µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	0.8nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	80pF @ 60V
Leistung max:	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	Die
Gerätepaket des Lieferanten:	Die

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