BSZ0909NDXTMA1

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Herstellerteil	BSZ0909NDXTMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	BSZ0909NDXTMA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	320
Einzelpreis	$ 1.28000

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BSZ0909NDXTMA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	20A (Tc)
rds auf (max) @ id, vgs:	18mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	2.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	360pF @ 15V
Leistung max:	17W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-WISON-8

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