BSM120D12P2C005

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Herstellerteil	BSM120D12P2C005
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	BSM120D12P2C005 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	33
Einzelpreis	$ 382.97000

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BSM120D12P2C005 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet-Funktion:	Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	120A (Tc)
rds auf (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	2.7V @ 22mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	14000pF @ 10V
Leistung max:	780W
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module

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