FF8MR12W2M1B11BOMA1

Das Bild dient als Referenz. Bitte kontaktieren Sie uns, um ein echtes Bild zu erhalten

Herstellerteil	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FF8MR12W2M1B11BOMA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	45
Einzelpreis	$ 248.29000

FF8MR12W2M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FF8MR12W2M1B11BOMA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	CoolSiC™+
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	150A (Tj)
rds auf (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
vgs(th) (max) @ id:	5.55V @ 60mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	372nC @ 15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	11000pF @ 800V
Leistung max:	20mW (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	AG-EASY2BM-2

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.