BSZ215CHXTMA1

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Herstellerteil	BSZ215CHXTMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	BSZ215CHXTMA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	156.650
Einzelpreis	$ 1.33000

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BSZ215CHXTMA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N and P-Channel Complementary
fet-Funktion:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5.1A, 3.2A
rds auf (max) @ id, vgs:	55mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.4V @ 110µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	2.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	419pF @ 10V
Leistung max:	2.5W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TSDSON-8

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