SIA938DJT-T1-GE3

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Herstellerteil	SIA938DJT-T1-GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Beschreibung	DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	SIA938DJT-T1-GE3 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	5.910
Einzelpreis	$ 0.70000

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SIA938DJT-T1-GE3 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	TrenchFET® Gen IV
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
rds auf (max) @ id, vgs:	21.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	425pF @ 10V
Leistung max:	1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerPAK® SC-70-6 Dual

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