EPC2100ENGRT

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Herstellerteil	EPC2100ENGRT
Hersteller	EPC
Beschreibung	GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	EPC2100ENGRT PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	78.312
Einzelpreis	$ 5.18320

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EPC2100ENGRT Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	eGaN®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet-Funktion:	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10A (Ta), 40A (Ta)
rds auf (max) @ id, vgs:	8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Leistung max:	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	Die
Gerätepaket des Lieferanten:	Die

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