CSD86311W1723

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Herstellerteil	CSD86311W1723
Hersteller	Texas Instruments
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	2.499
Einzelpreis	$ 1.02000

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CSD86311W1723 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	NexFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	25V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.5A
rds auf (max) @ id, vgs:	39mOhm @ 2A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	585pF @ 12.5V
Leistung max:	1.5W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	12-UFBGA, DSBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	12-DSBGA

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