FDD3510H

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Herstellerteil	FDD3510H
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FDD3510H PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	474
Einzelpreis	$ 1.25000

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FDD3510H Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	PowerTrench®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N and P-Channel, Common Drain
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	80V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.3A, 2.8A
rds auf (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	18nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	800pF @ 40V
Leistung max:	1.3W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-252-4L

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