CSD88539NDT

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Herstellerteil	CSD88539NDT
Hersteller	Texas Instruments
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.588
Einzelpreis	$ 1.03000

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CSD88539NDT Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	NexFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	60V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	15A
rds auf (max) @ id, vgs:	28mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	9.4nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	741pF @ 30V
Leistung max:	2.1W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO

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