IRF9910PBF

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Herstellerteil	IRF9910PBF
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	N-CHANNEL POWER MOSFET
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IRF9910PBF PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	782.760
Einzelpreis	$ 0.44000

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IRF9910PBF Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10A, 12A
rds auf (max) @ id, vgs:	13.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.55V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	900pF @ 10V
Leistung max:	2W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO

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