IRF8313PBF

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Herstellerteil	IRF8313PBF
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	HEXFET POWER MOSFET
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IRF8313PBF PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.471
Einzelpreis	$ 0.24000

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IRF8313PBF Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	9.7A (Ta)
rds auf (max) @ id, vgs:	15.5mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	760pF @ 15V
Leistung max:	2W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO

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