IPG20N04S4L07ATMA1

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Herstellerteil	IPG20N04S4L07ATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IPG20N04S4L07ATMA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.285
Einzelpreis	$ 1.80000

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IPG20N04S4L07ATMA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	40V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	20A
rds auf (max) @ id, vgs:	7.2mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 30µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	50nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3980pF @ 25V
Leistung max:	65W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TDSON-8-4

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