SI7288DP-T1-GE3

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Herstellerteil	SI7288DP-T1-GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	SI7288DP-T1-GE3 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	7.151
Einzelpreis	$ 1.60000

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SI7288DP-T1-GE3 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	40V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	20A
rds auf (max) @ id, vgs:	19mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	15nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	565pF @ 20V
Leistung max:	15.6W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	PowerPAK® SO-8 Dual
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerPAK® SO-8 Dual

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