SSM6N815R,LF

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Herstellerteil	SSM6N815R,LF
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	SSM6N815R,LF PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	314
Einzelpreis	$ 0.47000

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SSM6N815R,LF Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	U-MOSVIII-H
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate, 4V Drive
Drain-Source-Spannung (vdss):	100V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2A (Ta)
rds auf (max) @ id, vgs:	103mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	3.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	290pF @ 15V
Leistung max:	1.8W (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten:	6-TSOP-F

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