RFN1L6STE25

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Herstellerteil	RFN1L6STE25
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	RFN1L6STE25 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	588.430
Einzelpreis	$ 0.11169

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RFN1L6STE25 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Not For New Designs
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	600 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	800mA
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.45 V @ 800 mA
Geschwindigkeit:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	35 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	1 µA @ 600 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	DO-214AC, SMA
Gerätepaket des Lieferanten:	PMDS
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	150°C (Max)

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