VS-GT80DA120U

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Herstellerteil	VS-GT80DA120U
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	VS-GT80DA120U PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	98
Einzelpreis	$ 38.99000

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VS-GT80DA120U Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	HEXFRED®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench
Aufbau:	Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	139 A
Leistung max:	658 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.55V @ 15V, 80A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	4.4 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	No
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	SOT-227-4, miniBLOC
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-227

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