BYM300B170DN2HOSA1

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Herstellerteil	BYM300B170DN2HOSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	IGBT MOD 650V 40A 20MW
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	BYM300B170DN2HOSA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	101.380
Einzelpreis	$ 231.63000

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BYM300B170DN2HOSA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Last Time Buy
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	40 A
Leistung max:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.55V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	40 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	2.8 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module

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