FS150R07N3E4B11BOSA1

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Herstellerteil	FS150R07N3E4B11BOSA1
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	IGBT MODULE
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FS150R07N3E4B11BOSA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	37
Einzelpreis	$ 127.29000

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FS150R07N3E4B11BOSA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	150 A
Leistung max:	430 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.95V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	9.3 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module

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