A1P50S65M2-F

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Herstellerteil	A1P50S65M2-F
Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	A1P50S65M2-F PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	253.360
Einzelpreis	$ 39.89000

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A1P50S65M2-F Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50 A
Leistung max:	208 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	4.15 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	ACEPACK™ 1

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