FF1200R17KE3NOSA1

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Herstellerteil	FF1200R17KE3NOSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	IGBT MODULE VCES 1700V 1200A
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FF1200R17KE3NOSA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	63.325
Einzelpreis	$ 1415.99000

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FF1200R17KE3NOSA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Not For New Designs
igbt-Typ:	-
Aufbau:	Single Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1700 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	-
Leistung max:	595000 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 1200A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	5 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	110 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	No
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 125°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module

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