FF150R17ME3GBOSA1

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Herstellerteil	FF150R17ME3GBOSA1
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	IGBT MODULE
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FF150R17ME3GBOSA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	713
Einzelpreis	$ 103.36000

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FF150R17ME3GBOSA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1700 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	240 A
Leistung max:	1050 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	3 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	13.5 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module

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