GSID100A120T2C1

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Herstellerteil	GSID100A120T2C1
Hersteller	SemiQ
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 200A 640W
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	GSID100A120T2C1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	101.300
Einzelpreis	$ 119.77833

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GSID100A120T2C1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	Amp+™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Aufbau:	Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	200 A
Leistung max:	640 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	13.7 nF @ 25 V
Eingang:	Three Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module

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