HN3C10FUTE85LF

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Herstellerteil	HN3C10FUTE85LF
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung	RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	111
Einzelpreis	$ 0.54000

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HN3C10FUTE85LF Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	12V
Frequenz - Übergang:	7GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	1.1dB @ 1GHz
gewinnen:	11.5dB
Leistung max:	200mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (ic) (max):	80mA
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten:	US6

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