MT3S111P(TE12L,F)

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Herstellerteil	MT3S111P(TE12L,F)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung	RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	MT3S111P(TE12L,F) PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	7.857
Einzelpreis	$ 0.89000

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MT3S111P(TE12L,F) Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	6V
Frequenz - Übergang:	8GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	1.25dB @ 1GHz
gewinnen:	10.5dB
Leistung max:	1W
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-243AA
Gerätepaket des Lieferanten:	PW-MINI

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