MMBTH10LT3G

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Herstellerteil	MMBTH10LT3G
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	MMBTH10LT3G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	110.000
Einzelpreis	$ 0.03000

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MMBTH10LT3G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	25V
Frequenz - Übergang:	650MHz
Rauschzahl (db typ @ f):	-
gewinnen:	-
Leistung max:	225mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	60 @ 4mA, 10V
Strom - Kollektor (ic) (max):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23-3 (TO-236)

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