BFU730LXZ

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Herstellerteil	BFU730LXZ
Hersteller	NXP Semiconductors
Beschreibung	RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	BFU730LXZ PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	77.750
Einzelpreis	$ 0.51000

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BFU730LXZ Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	3V
Frequenz - Übergang:	53GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	0.75dB @ 6GHz
gewinnen:	15.8dB
Leistung max:	160mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	205 @ 2mA, 3V
Strom - Kollektor (ic) (max):	30mA
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	3-XFDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	3-DFN1006 (1.0x0.6)

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