BFP182WE6327

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Herstellerteil	BFP182WE6327
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	BFP182WE6327 PDF

Verfügbarkeit

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Einzelpreis	$ 0.08000

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BFP182WE6327 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	12V
Frequenz - Übergang:	8GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
gewinnen:	22dB
Leistung max:	250mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (ic) (max):	35mA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-82A, SOT-343
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT343-4

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