NJVMJD112G

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Herstellerteil	NJVMJD112G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NJVMJD112G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	46.429
Einzelpreis	$ 0.39644

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NJVMJD112G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	100 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	20µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 2A, 3V
Leistung max:	1.75 W
Frequenz - Übergang:	25MHz
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK

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