NSS20201MR6T1G

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Herstellerteil	NSS20201MR6T1G
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 20
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NSS20201MR6T1G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	46.370
Einzelpreis	$ 0.17000

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NSS20201MR6T1G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	20 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	150mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 1A, 5V
Leistung max:	460 mW
Frequenz - Übergang:	200MHz
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-23-6
Gerätepaket des Lieferanten:	6-TSOP

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