NUS5530MNR2G

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Herstellerteil	NUS5530MNR2G
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Spezialzweck
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NUS5530MNR2G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	105.255
Einzelpreis	$ 0.54000

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NUS5530MNR2G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN, P-Channel
Anwendungen:	General Purpose
Spannung - bewertet:	35V PNP, 20V P-Channel
Nennstrom (Ampere):	2A PNP, 3.9A P-Channel
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-VDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten:	8-DFN-EP (3.3x3.3)

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