FJV4101RMTF

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Herstellerteil	FJV4101RMTF
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	0.1A, 50V, PNP
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FJV4101RMTF PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	113.384
Einzelpreis	$ 0.02000

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FJV4101RMTF Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	4.7 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 10mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:	200 MHz
Leistung max:	200 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23-3

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