DDTB114GC-7-F

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Herstellerteil	DDTB114GC-7-F
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	DDTB114GC-7-F PDF

Verfügbarkeit

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Einzelpreis	$ 0.04388

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DDTB114GC-7-F Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	-
Widerstand - Emitter Basis (r2):	10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	56 @ 5mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:	200 MHz
Leistung max:	200 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23-3

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